您当前的位置:今日头条信息 > 科技 > 正文

10nm工艺骁龙835首现身 同时支持最新快充4.0

2016年11月18日 14:07 来源:今日头条信息 点击:


17日,高通公司宣布将与三星电子合作开发下一代旗舰级处理器骁龙835,据称835将采用三星最先进的10nm制造工艺。另外,高通表示835将支持最新的快充技术Quick Charge 4.0。

由于采用全新的10纳米制程工艺,高通方面表示骁龙835处理器将具备更低的功耗以及更高性能,从而提升移动设备的用户体验。

据悉,今年10月份,三星就率先公布了10纳米工艺的量产,与上代14纳米工艺相比,10纳米可以减少30%的芯片尺寸,同时提升27%的性能以及降低40%的功耗。

借助10纳米工艺制程,高通骁龙835处理器具备更小的SoC尺寸,让OEM厂商可以进一步优化移动设备的机身内部结构,比如增加电池或是实现更轻薄的设计等等。此外,制程工艺的提升也会改善电池续航能力。

目前骁龙835已经投入生产,预计搭载骁龙835处理器的设备将会在2017年上半年陆续出货。


除了骁龙835处理器之外,高通还正式发布了全新的Quick Charge 4.0快充技术。

QC 4.0将会在前几代方案的基础上继续提升充电效率,官方称充电5分钟可以延长手机使用时长5小时,充电效率比之前增加30%。此外QC 4.0还集成了对USB-C和USB-PD(Power Delivery)的支持,适配范围更广泛。

USB-PD是谷歌最新在安卓兼容性定义文档(Android Compatibility Definition Document)中加入的条目,谷歌强烈建议制造商不要使用Quick Charge这样的非标准性的USB-C充电方案,而是遵循USB-PD的技术规格。不过,随着最新的QC4.0已经支持USB-PD,谷歌所说的“非标准充电”也就不再有效。

值得一提的是,高通还强调QC 4.0使用了智能协商最佳电压(Intelligent Negotiation for Optimum Voltage,INOV)算法和热管理技术。该技术的最大特点在于,通过智能管理设备的充电电量,能有效防止过热问题,从而大大减少充电时爆炸的风险。

高通表示,所有使用Snapdragon 835的手机将获得三级电流和四级电压保护,以防止过热。另外,和上一代技术相比,Quick Charge 4.0也将让手机温度降低高达5摄氏度。

业内人士猜测,此次高通与三星合作研发,很可能意味着三星下一代旗舰机型Galaxy S8将首发骁龙835,而更重要的是,使用了QC 4.0的S8将比Note7更安全。(恒亮)